삼성전자가 반도체 업계 최초로 HKMG(하이케이 메탈 게이트) 공정을 적용한 DDR5 메모리 모듈(사진)을 개발했다고 25일 발표했다. 용량과 속도를 크게 개선해 데이터센터, 에지컴퓨팅 등에 활용할 예정이다. 삼성전자는 차별화된 D램을 앞세워 인텔과의 협력도 강화할 계획이다.
차세대 D램 규격인 DDR5는 기존 DDR4에 비해 두 배 이상의 성능을 자랑한다. 삼성전자가 이번에 개발한 DDR5 메모리 모듈의 용량은 512GB(기가바이트), 최대 전송 속도는 7200Mbps다. 1초에 30GB 용량의 4K UHD(3840×2160) 영화 2편을 처리할 수 있다. 용량과 전송 속도 모두 업계 최고 수준이다.
삼성전자는 미세화 공정에 따른 누설 전류 문제를 ...
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